SiC 1200V MOSFET加固器件新结构研究

发布于： 2025-12-09 11:02

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分类：项目动态

制备一款新型的SiC 1200V平面栅MOSFET，突破极端场景功率控制瓶颈的核心。

我基金会对其予以叁拾壹万捌仟元人民币的慈善公益资助，以助力第三/四代半导体科技攻关

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