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研究氧化镓光控器件，实现器件高性能突破，为氧化镓光控功率器件在高压、高频极端环境中的实用化奠定坚实基础。 我基金会对其予以肆拾伍万壹仟捌佰元整人民币的慈善公益资助，以助力第三/四代半导体科技攻关。 -
开发氧化镓的无金工艺，并开发无金制备的功率器件，实现低的欧姆比接触电阻率。 我基金会对其予以肆拾玖万柒仟贰佰元整人民币的慈善公益资助，以助力第三/四代半导体科技攻关。
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制备一款新型的SiC 1200V平面栅MOSFET，突破极端场景功率控制瓶颈的核心。 我基金会对其予以叁拾壹万捌仟元人民币的慈善公益资助，以助力第三/四代半导体科技攻关
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开发功率SiC LDMOS和CMOS集成及驱动保护技术，提升功率系统整体的最高工作温度、工作效率和可靠性 我基金会对其予以肆拾柒万元人民币的慈善公益资助，以助力第三/四代半导体科技攻关
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开发国内首个8英寸GaN全集成研究中试平台，提供横向/纵向合作平台。 我基金会对其予以伍拾万元人民币的慈善公益资助，以助力第三/四代半导体科技攻关。
